ترانزيستور IGBT
ترانزيستور( IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor) هو ترنزستر ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة و يجمع بين مميزات ثنائي القطبية في الجهد العالي و ترانزيستور تأثير المجال في سرعة التجاوب والجهد ( الطاقة ) المنخفض عند التحكم إلا أنه يعمل على مستوى منخفض من الذبذبات لا تتجاوز بضع العشرات من الكيلو هرتز.
البنية الداخلية
الدارة المكافئة
ترانزستور السالب موجب سالب NPN لا ينقل التيار عادة إلى المقاومة r الجهد في طرف المقاومة غير كاف وفي حال إن تواجد التيار يفقد ترنزستر IGBT التحكم أي انه يقع في حالة انحصار (فقدان القدرة على التفعيل ) تجميع ترنزسترين يكافئ ( يعادل ) تيرستر thyristor ولا يقع الانحصار إلا إذا انقطع التيار الأساسي ولكن التقنيات المستخدمة في صناعة هذا الصنف من الترنزسترات تجنبه هذه الظاهرة .
التكافئ البسيط
جدول مقارنة وخصائص
احد اصناف التيرسترات
GTO IGBT ترنزستر ثنائي القطبية التيرستر السريع التيرستر
الجهد 4500 فولت 1200 فولت 1400 فولت 1500 فولت 6000 فولت
الشدة 3000 أمبير 400 أمبير 500 أمبير 1500 أمبير 5000 أمبير
الذبذبات 1 كيلو هيرتز 20 كيلو هيرتز 5 كيلو هيرتز 3 كيلو هيرتز 1 كيلو هيرتز
أحد استعمالاته
موضوع: 18(ترانزيستور IGBT) 
السبت 28 فبراير 2009 - 0:22
